Анализируется возможность проведения допускового контроля параметров искровых разрядов в полупроводниковых свечах емкостных систем зажигания на основе измерения легкодоступными методами двух диагностических величин – напряжения на накопительном конденсаторе в момент перехода подготовительной стадии разряда в свече в искровую стадию и остаточного напряжения на конденсаторе в момент погасания разряда. На основе экспериментальных исследований разрядных процессов в емкостной системе зажигания, в том числе с использованием оригинальной схемы отсечки разрядного тока в свече в момент окончания подготовительной стадии разрядов, определены и подтверждены законы распределения диагностических параметров для использования при проведении допускового контроля эффективности емкостных систем зажигания.